通常我們?cè)谶x擇真空泵時(shí)多根據(jù)實(shí)際工況需要的真空度來(lái)選擇真空泵的類型，依據(jù)抽氣量來(lái)選擇真空泵的抽速的。當(dāng)然還有其他因素影響真空泵的應(yīng)用，比如說(shuō)真空電子技術(shù)領(lǐng)域里還應(yīng)考慮工藝環(huán)境的清潔情況，實(shí)際工藝過(guò)程以及泵浦里面的反應(yīng)氣體和反應(yīng)產(chǎn)物的顆粒。

好凱德無(wú)油真空泵應(yīng)用較為廣泛的兩個(gè)領(lǐng)域有半導(dǎo)體以及LCD制造，用于無(wú)反應(yīng)氣體抽出的場(chǎng)合有:上、下卸料室，轉(zhuǎn)移室，液晶注入，Color Filter等，雅之雷德機(jī)電科技用于有反應(yīng)氣體抽出的場(chǎng)合有:離子注入，刻蝕，拋光，LPCVD, PECVD等。在CVD生產(chǎn)中要求真空泵抽出反應(yīng)生成物和NF3，C2F6， HCl等清洗氣體。

一般工藝中的應(yīng)用：

(1)N2清洗 N2清洗的目的是稀釋真空泵內(nèi)部的反應(yīng)氣體;為泵的轉(zhuǎn)軸提供密封;防止真空泵排氣口滲入空氣及水分。N:清洗的氣體量可根據(jù)需要調(diào)整。

(2)配冷阱 冷阱通常是裝在真空泵的吸氣口及排氣口位置，目的是減少反應(yīng)生成物滲入到泵的量，減輕真空泵的負(fù)擔(dān);減輕廢氣處理的負(fù)擔(dān)。

(3)溫度控制 根據(jù)工藝過(guò)程反應(yīng)生成物的不同，為防止其附著在泵內(nèi)，對(duì)無(wú)油機(jī)械真空的排氣口加熱，或?qū)ι衔槐脤?shí)行溫度控制。

(4)在線清洗 在用LPCVD法制備氯化膜的過(guò)程中，會(huì)生出副產(chǎn)物氯化銨(NH4Cl)，氯化銨能溶于水。利用這一特性，對(duì)單級(jí)立式無(wú)油機(jī)械真空泵可進(jìn)行在線自動(dòng)清洗，不必將泵拆離生產(chǎn)線就能用洗液做清洗工作。

CVD工藝中的應(yīng)用

利用LPCVD工藝制備絕緣膜或半導(dǎo)體膜時(shí)，有機(jī)矽烷系統(tǒng)(TEOS)原料呈液體狀態(tài)，TEOS與反應(yīng)副產(chǎn)物混合，形成凝膠狀而堵塞真空泵排氣口，這時(shí)在排氣口應(yīng)加冷阱。

利用PECVD工藝制備絕緣膜時(shí)，TEOS的反應(yīng)副產(chǎn)物以白色粉末狀通過(guò)真空泵，因此應(yīng)選用非接觸型真空泵。清洗氣體使用NF3、C2F6等與上述反應(yīng)副產(chǎn)物結(jié)合，再形成另一種副產(chǎn)物，對(duì)真空泵有不良影響，此時(shí)可利用降低真空泵溫度的方法解決。

干蝕刻工藝中的應(yīng)用

蝕刻工藝可分為鋁質(zhì)金屬蝕刻、多晶矽類的蝕刻、氧化膜的蝕刻等，金屬類的蝕刻會(huì)產(chǎn)生大量反應(yīng)副產(chǎn)物，對(duì)真空泵的負(fù)荷會(huì)很大。

多晶矽膜、氧化矽膜等的蝕刻使SF6等氣體，反應(yīng)副產(chǎn)物較少，升華溫度較低，可以氣態(tài)形式排出泵外。鋁質(zhì)金屬的蝕刻則使用三氯化硼等氯化氣體，會(huì)產(chǎn)生大量的四氯化鋁，升華溫度高，很容易附著在溫度低的部位，未發(fā)生反應(yīng)的氣體又多半屬于腐蝕性較強(qiáng)的。在欽的蝕刻中常使用氟化系氣體，其特性類似于氯化系氣體。

鈦蝕刻生產(chǎn)中多用到氟、氯、溟化物系等腐蝕性較強(qiáng)的氣體，這些氣體與水結(jié)合變成強(qiáng)酸，有強(qiáng)烈腐蝕性。因此，要求無(wú)油真空泵和管道材料具有高度耐腐蝕性。